碳化矽(SiC)材料
- 適用領域：
- １、粉碎機的耐磨耗部件
- ２、陶瓷軸承，熱交換器
- ３、化學品泵浦部件，各種噴嘴
- ４、高溫切削工具，耐火板
- ５、機械類耐磨部件
- ６、制鋼還原材，避雷器
- ７、其他半導體製造用備件
- 適用加工方式：
- １、鑽石研磨切割加工
- ２、線切割加工
- ３、放電加工
碳化矽(SiC)
碳化矽是一種，屬於寬能隙陶瓷材料，具備高崩潰電壓、高電場強度、大電流密度特性，此外亦具備高導熱能力，再加上其較一般陶瓷材料具備更良好的硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性及高導熱性，所以近年碳化矽被廣泛應用在機械工程中的結構件和化學工程中的密封件等，甚至運用在強酸、強鹼、高磨耗、高溫、航太等極端條件的環境。
主要特點：
● 優秀的耐磨耗性。
● 優秀的耐腐蝕性。
● 耐氧化性優秀。
● 熱傳導率高，熱傳導效果好。
緻密度！白光干涉(WLI)檢測實驗報告
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）是一種高精度的光學測量技術，能夠以納米級解析度檢測材料表面的微觀形貌。
在測量高密度陶瓷元件的鏡面表面時，WLI 能夠準確捕捉表面微缺陷，如凹陷、刮痕或孔洞。
旭正 Si3N4 / SiC 經過精細拋光至鏡面狀態，利用 WLI 進行掃描分析，結果顯示表面連續且平滑，未發現孔洞或微裂縫。
由於 WLI 的縱向解析度可達 1 nm，橫向解析度亦可達 300 nm，若樣品內部存在孔隙且連通至表面，會在干涉圖中呈現高度變化。
然而，本次測試未見異常，顯示該 Si3N4 / SiC 元件具有極低的孔隙率，材料結構緻密，製程品質優良。
透過白光干涉儀的無損檢測技術，我們能夠量化陶瓷表面的均勻性與完整性，為品質控制與製程優化提供科學依據。結果顯示，此 Si3N4 / SiC 樣品達到了高密度標準，適合作為高性能應用的關鍵材料。
SGS 檢測報告(待官方行政釋出中)
碳化矽(SiC)材料技術指標
| 主要項目 Item | 單位 Unit | 指標 Test Standard |
|---|---|---|
| 密度 | g/cm3 | 3.2 |
| 彈性模量 | Gpa | 440 |
| 線膨脹係數 | 10-6K-1 | 3.0 |
| 硬度 (HV) | Mpa | 2800 |
| 斷裂韌性 | Mpa | 3.9 |
| 抗彎強度 (室溫) | Mpa | 390 |
| 抗彎強度 (700℃) | Mpa | 380 |
| 抗壓強度 (室溫) | Mpa | 1800 |
| 松柏比 | 0.17 | |
| 熱導率 | W(mk)-1 | 120 |
| 比電阻率 | ≥103 | |
| 最高使用溫度 (無荷載) | ℃ | 1550 |
| 耐酸鹼腐蝕性 | 強 |
旭正精密【SiC / Si3N4】白光干涉(WLI)檢測實驗報告 報告
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）是一種高精度的光學測量技術，能夠以納米級解析度檢測材料表面的微觀形貌。
在測量高密度陶瓷元件的鏡面表面時，WLI 能夠準確捕捉表面微缺陷，如凹陷、刮痕或孔洞。
研磨前 旭正SiC/Si3N4 畫面
拋光研磨後畫面
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面(一)
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面(二)
旭正 Si3N4 / SiC 經過精細拋光至鏡面狀態，利用 WLI 進行掃描分析，結果顯示表面連續且平滑，未發現孔洞或微裂縫。
由於 WLI 的縱向解析度可達 1 nm，橫向解析度亦可達 300 nm，若樣品內部存在孔隙且連通至表面，會在干涉圖中呈現高度變化。
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面
然而，本次測試未見異常，顯示該 Si3N4 / SiC 元件具有極低的孔隙率，材料結構緻密，製程品質優良。
透過白光干涉儀的無損檢測技術，我們能夠量化陶瓷表面的均勻性與完整性，為品質控制與製程優化提供科學依據。結果顯示，此 Si3N4 / SiC 樣品達到了高密度標準，適合作為高性能應用的關鍵材料。