高純度散熱碳化矽(HT-SiC)材料
- 適用領域：
- １、高壓功率模組 散熱基板
- ２、5G基站 雷射散熱模組
- ３、EV SiC MOSFEF 散熱基板
- ４、雷達電源模組 散熱基板
- ５、伺服器與 AI 晶片散熱
- ６、GPU CPU 散熱基板
- ７、液冷(水冷)式 浸沒(液冷)式 水冷板
- ８、電動車 & 電力電子SiC IGBT 和 SiC MOSFET 逆變器在 EV 電機驅動系統散熱
高導熱係數碳化矽(SiC)
高導熱係數碳化矽是一種，屬於寬能隙陶瓷材料，具備高崩潰電壓、高電場強度、大電流密度特性，此外亦具備高導熱能力，再加上其較一般陶瓷材料具備更良好的硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性及高導熱性，所以近年碳化矽被廣泛應用在機械工程中的結構件和化學工程中的密封件等，甚至運用在強酸、強鹼、高磨耗、高溫、航太等極端條件的環境。
1. 高導熱~SiC 在高導熱材料中具有良好的導熱能力，且相比鋁、銅，其熱膨脹係數較低，適合與半導體或陶瓷材料結合使用，減少熱膨脹不匹配帶來的應力。
2. 高導熱~SiC 在極端溫度環境中仍可穩定運作，適合高功率電子元件的長時間散熱需求。
3. 高導熱~SiC 散熱模組比金屬散熱片更耐用，適合高溫、高應力環境。
4. 高導熱~SiC 散熱模組將成為未來 AI 伺服器、5G 基站、電動車快充、航太電子的關鍵技術
主要特點：
● 高導熱係數(Thermal Conductivity)
● 高電阻率(Electrical Resistivity)
● 高耐壓性(Dielectric Strength)
● 優異的低熱膨脹係數(Excellent low coefficient of thermal expansion)
● 耐高溫 ,高可靠性(High temperature resistance, high reliability)
● 機械強度,抗衝擊性(Mechanical strength, impact resistance)
● 耐酸鹼 耐腐蝕 (Acid and alkali resistance and corrosion resistance)
緻密度！白光干涉(WLI)檢測實驗報告
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）是一種高精度的光學測量技術，能夠以納米級解析度檢測材料表面的微觀形貌。
在測量高密度陶瓷元件的鏡面表面時，WLI 能夠準確捕捉表面微缺陷，如凹陷、刮痕或孔洞。
旭正 Si3N4 / SiC 經過精細拋光至鏡面狀態，利用 WLI 進行掃描分析，結果顯示表面連續且平滑，未發現孔洞或微裂縫。
由於 WLI 的縱向解析度可達 1 nm，橫向解析度亦可達 300 nm，若樣品內部存在孔隙且連通至表面，會在干涉圖中呈現高度變化。
然而，本次測試未見異常，顯示該 Si3N4 / SiC 元件具有極低的孔隙率，材料結構緻密，製程品質優良。
透過白光干涉儀的無損檢測技術，我們能夠量化陶瓷表面的均勻性與完整性，為品質控制與製程優化提供科學依據。結果顯示，此 Si3N4 / SiC 樣品達到了高密度標準，適合作為高性能應用的關鍵材料。
SGS 官方檢測報告!! SGS Test Report!!
高導熱係數碳化矽(SiC)材料技術指標
| 規格 Spec | 單位 Unit | 數據 Test Standard |
|---|---|---|
| 純度 | % | ≧ 98.5 |
| 密度 | kg/cm3 | 3.16 |
| 莫氏硬度 | CNS3299:2006 | 9 |
| 抗折強度 | Mpa(ASTM D790-17) | 337 |
| 熱導係數 | W(m*k) | ≧ 170 |
| 電阻率(Ω) | 500 V/sec ( JIS K6911:1995 ) | ≧ 4.34 x 107 |
| 熱膨脹係數 | 23~200 °C (ASTM E831-19) | 3.266 x 10-6 |
| 熱膨脹係數 | 23~500 °C (ASTM E831-19) | 3.913 x 10-6 |
旭正精密【SiC / Si3N4】白光干涉(WLI)檢測實驗報告 報告
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）是一種高精度的光學測量技術，能夠以納米級解析度檢測材料表面的微觀形貌。
在測量高密度陶瓷元件的鏡面表面時，WLI 能夠準確捕捉表面微缺陷，如凹陷、刮痕或孔洞。
研磨前 旭正SiC/Si3N4 畫面
拋光研磨後畫面
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面(一)
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面(二)
旭正 Si3N4 / SiC 經過精細拋光至鏡面狀態，利用 WLI 進行掃描分析，結果顯示表面連續且平滑，未發現孔洞或微裂縫。
由於 WLI 的縱向解析度可達 1 nm，橫向解析度亦可達 300 nm，若樣品內部存在孔隙且連通至表面，會在干涉圖中呈現高度變化。
白光干涉檢測 旭正 SiC/Si3N4 畫面
然而，本次測試未見異常，顯示該 Si3N4 / SiC 元件具有極低的孔隙率，材料結構緻密，製程品質優良。
透過白光干涉儀的無損檢測技術，我們能夠量化陶瓷表面的均勻性與完整性，為品質控制與製程優化提供科學依據。結果顯示，此 Si3N4 / SiC 樣品達到了高密度標準，適合作為高性能應用的關鍵材料。